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    FEI Talos F200系列 場發射透射電子顯微鏡

    FEI Talos F200系列 場發射透射電子顯微鏡

    簡要描述:

    FEI Talos F200系列 場發射透射電子顯微鏡融合了出色的高分辨率掃描/透射電子顯微鏡 (STEM) 和 TEM 成像功能與的能量色散 X 射線光譜儀 (EDS) 信號檢測功能及基于成分測繪的三維化學表征功能。Talos F200X 可在所有維度 (1D-4D) 下實現Z快速、Z精確的 EDS 分析,以及且支持快速導航的動態顯微鏡 HRTEM 成像。

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    FEI Talos F200系列 場發射透射電子顯微鏡融合了出色的高分辨率掃描/透射電子顯微鏡 (STEM) 和 TEM 成像功能與行業的能量色散 X 射線光譜儀 (EDS) 信號檢測功能及基于成分測繪的三維化學表征功能。Talos F200X 可在所有維度 (1D-4D) 下實現zui快速、zui精確的 EDS 分析,以及且支持快速導航的動態顯微鏡 HRTEM 成像。
    FEI Talos F200系列 場發射透射電子顯微鏡可以實現zui快速、zui準確且量化的多維納米材料表征。 FEI Talos F200S 200 kV STEM 融合了快速、多通道、高分辨率 STEM 成像和精確成分分析,可以支持各種動態顯微鏡應用。FEI Talos 的創新功能可提高通量、精度與易用性,非常適于學院、政府和工業研究環境中的高級研究與分析。
    是FEI公司新一代場發射低溫透射電鏡,配有場發射電子槍;樣品臺可傾轉zui大角度70度; 恒功率模式的物鏡保證成像的高穩定性;點分辨率可達0.3nm,信息分辨極限可達0.15nm。
    基本參數
    Talos F200S
    總束電流:>150nA
    探針電流:1nA@1nm探針(200 kV)
    EDS系統:2 SDD無窗設計,shutter保護
    能量分辨率:≤136 eV,對Mn-Kalpha和10kcps(輸出)
    快速EDS:像素駐留時間低至10 us
    Talos F200X
    明場X-FEG:1.8×109 A/cm2 srad(@200kV)
    總束電流:>50nA
    探針電流:2nA@1nm探針(200 kV);0.4 nA@0.31nm探針
    EDS系統:2 SDD無窗設計,shutter保護
    能量分辨率:≤136 eV,對Mn-Kalpha和10kcps(輸出)
    快速EDS:像素駐留時間低至10 us 除了這些基本特性外,本中心的Talos還裝備:
    1 Ceta 4K*4K 相機; 
    2 用于STEM模式的環形暗場探頭(HAADF)以及BF/DF探頭; 
    3 Gatan 626冷凍傳輸樣品桿,單傾樣品桿以及三維重構樣品桿; 
    4 單顆粒技術自動化數據收集系統EPU和電子斷層掃描技術自動化數據收集軟件Xplore3D。 
    Talos可以滿足冷凍單顆粒技術、冷凍電子斷層掃描技術、STEM電子斷層掃描技術的數據收集需求,如: 
    1. 進行液氮溫度的冷凍樣品數據收集; 
    2. 可進行單顆粒樣品數據收集;

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